彰显长期价值：英诺赛科引领全球氮化镓创新 增长步入快车道

  受下游新兴行业的需求推动，全球氮化镓市场正进入爆发期，新能源汽车、AI等新兴行业应用，对全球电源产品的能效提出更高要求，功率半导体芯片是电源产品的核心，氮化镓具有高频、电子迁移率高、抗辐射能力强、导通电阻低、无反向恢复损耗等显著优势，与传统的硅及其他半导体材料相比，氮化镓在性能、工艺创新发展空间等方面，能更好满足当前全球功率半导体器件革命的迫切需求。

  全球氮化镓半导体有突出贡献的公司英诺赛科作为行业翘楚，自成立以来，坚持IDM商业模式。虽然采用IDM模式的芯片厂商通常会因产能投入及研发，产生大额前期资本支出及研发开支，但该模式高度集成芯片设计、制造、测试、终端应用等全运营过程，尤其是芯片设计和制造工艺深度协同，能够极大提升芯片厂商的整体运营水平。

  相比IDM模式，无晶圆设计（Fabless）公司受制造能力和工艺迭代局限，代工厂（Foundry）则缺乏向下游客户提供高效定制化解决方案能力，根据沙利文的预测，IDM商业模式将成为未来氮化镓行业供给侧的主流选择。

  随着全球功率半导体市场下游应用向纵深发展，计算机显示终端逐渐重视芯片厂商的供应链稳定性、产品综合竞争优势，英诺赛科基于IDM商业模式，充分的发挥研发与制造一体化协同威力，并依托其全球最大8英寸硅基氮化镓量产能力，实现稳定交付。截至2023年12月31日，以折算氮化镓分立器件计，公司的累计出货量超过5亿颗。

  根据已披露的招股书，能够准确的看出英诺赛科的技术实力可谓遥遥领先，作为全球氮化镓行业的创新者，英诺赛科的技术独特性首先体现在8英寸硅基氮化镓晶圆的量产，可谓实现了三方面的突破与提升：一是对氮化镓行业现有的6英寸技术的突破，开发了新的量产工艺和技术，并且实现大规模成熟量产；二是采用硅基技术路线制造氮化镓晶圆，与现有的8英寸硅制造设备兼容，公司对制造工艺进行了大量定制化改进；三是实现了在产品性能及效益上的显著提升，以招股书披露数据分析来看，与传统的6英寸晶圆相比，8英寸晶圆晶粒产出数提升了80%，单一器件成本降低30%。

  除了制造能力独树一帜，公司在产品研制上实现了全电压谱系产品组合，是全球唯一一家在整个氮化镓产品电压范围内实现技术突破的公司，研发范围覆盖15V至1200V，可以较好满足下游大范围的应用。为了在下游应用中充分的发挥氮化镓的材料优势，公司还投入大量资源，开发先进封装工艺，以及投资大量资源，建设氮化镓可靠性测试体系，以确定保证产品符合卓越的工业应用和高端消费产品的可靠性要求。

  根据全球知名咨询公司弗若斯特沙利文的资料，按收入计，2023年公司在全球氮化镓功率器件半导体公司中排名第一，按收入计市场占有率高达33.7%。而且跟着时间推移，公司不断深化运营能力，发挥规模经济效应，巩固公司在氮化镓行业内的先发优势，依据招股书数据，公司生产良率达到95%，功率半导体行业具有高客户粘性特征。随着产能释放和市场需求量开始上涨，在可预见的未来，公司更显长期价值，将实现持续高速增长。

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